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提高鎢在半導體制造中填孔能力的方法

發布日期:2020-07-25 17:03:49瀏覽次數: 0

鎢是一種具有高傳導性的金屬元素,在半導體制造中,常被用作金屬層間的通孔(Via)和垂直接觸的接觸孔(Contact)的填充?;旧?,集成電路是由數層材質不同的薄膜組成,

      而使這些薄膜覆蓋在半導體器件上的技術,就是所謂的薄膜沉積技術。薄膜沉積技術一般有CVD(化學氣相沉積)和PVD(物理氣相沉積),鎢一般采用CVD(化學氣相淀積)法來沉積。隨著半導體器件特征尺寸越來越小,對鎢粉的薄膜填孔能力的要求也越來越高。因此,如何提高金屬鎢粉的填孔能力變得越來越有意義。

      經研究發現,在鎢的CVD技術中,通過改變以下幾點可以較好的提高鎢在半導體制造中的填孔能力:

1)增加半導體材料浸泡的壓力和時間。半導體材料浸泡的壓力越大,時間越長,鎢的填孔能力越強;

2)增加快速沉積WF6/H2比率及反應室壓力。WF6/H2比率越大,反應壓力越大,鎢的填孔能力也越強;

3)增加預熱的壓力。預熱的壓力越大,鎢的填孔能力越強;

4)增加成核時的WF6/SiH4比率,WF6,SiH4占的分壓及反應室的總壓力。WF6/SiH4比率越大,WF6,SiH4占的分壓越大, 反應室的總壓力越大,鎢的填孔能力也越強;

5)降低加熱器的溫度。加熱器反應的溫度越低,理論上反應速度越慢,鎢的填孔能力也越強。
 

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